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Fairchild/ON Semiconductor FQPF6N90
| Artikelnummer: | FQPF6N90 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 3.4A TO-220F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
Fairchild/ON Semiconductor FQPF6N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQPF6N90.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220F Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 1.7A, 10V Verlustleistung (max) 56W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 900V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A (Tc) FQPF6N90 Einzelheiten PDF [English] FQPF6N90 PDF - EN.pdf -
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